HPSP 하반기 V 자 반등

3Q24 실적 본궤도에 진입
상반기 실적은 전방 비메모리의 투자 부재로 부진한 실적을 기록했다. 반면 해외 메모
리 고객사의 DRAM 선단 공정 투자 아래 동사의 고압 수소 어닐링 장비 수주가 늘어
났고 3Q24 부터 매출 인식이 본격화될 것으로 보인다. 최근 비메모리 투자도 상위 업
체를 중심으로 재개 움직임이 감지된다. 현재 수주잔고 감안시 하반기 V 자 회복은 가
시적이다(1H24 651 억원 vs 2H24 1,200 억원). 동탄 신공장 램프업으로 이익률 상승
여력은 제한적이나 내년 생산 캐파가 2 배로 늘어 외형 업사이드가 커질 전망이다.
고압 수소 어닐링, 전방 시장 확대
미세화에 따른 저온 공정 영역 확대로 고압 수소 어닐링 시장이 커지고 있다. 비메모리
에서는 28 나노부터 쓰이기 시작했으며 DRAM 은 1b 향부터 수주가 시작되면서 메모
리 시장으로 저변을 넓히고 있다. DRAM 은 1c 부터, NAND 는 300 단대부터 본격적
인 시장 확대가 예상된다.

비메모리 투자 동향
파운드리 투자 동향은 업체별로 온도차가 크다. 선단 공정 수주가 집중되고 있는
TSMC 는 2 나노 이하에서도 시장 선점을 위한 R&D 와 팹 투자를 이어가고 있다. 미
국 애리조나 팹 1 공장의 가동은 최근 시작한 것으로 파악되며 2-3 공장 착공을 준비
중에 있다. 대만과 일본 신규 팹 증설도 2025 년부터 시작될 전망이다. 중국의 SMIC
도 정부 보조금을 바탕으로 공격적인 설비 투자를 지속해 나갈 것으로 보인다.
주요주주

과도한 주가 하락
동사의 주가는 이전 고점 대비 50% 이상 하락했다. 실적 부진 그리고 특허 분쟁 이슈
등이 얽혔던 결과로 풀이된다. 그러나 실적은 회복 국면에 접어 들고 있으며, 특허 분
쟁은 결과를 예단할 수는 없지만 주가는 이미 독점 프리미엄이 깨진 멀티플 수준 가까
이 회귀했다(2025E P/E 21x).