주성엔지니어링 양수겸장의 반도체 증착장비 공급사ㅋ

ALD 기술로 반도체 초미세 공정 선도
주성엔지니어링은 초미세화가 이어지는 반도체 산업에서 차별화된 증착 기술력 보유. 선폭이 좁
아지고 패턴의 종횡비가 증가하는 상황에서 박막 증착 공정의 단차피복성(Step Coverage, 단차
가 있는 표면에 균일한 두께로 박막을 입히는 성능)의 향상과 하지막(Underlayer, 실제 증착하려
는 막의 아래에 형성하는 기초막)의 계면 특성(박막과 하부 기판 사이의 접착력과 물리적 특성)의
미세 컨트롤이 가능한 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 기술 확보. 이를 통한 메모
리와 비메모리 반도체 분야의 다양한 애플리케이션 수요 충족 및 높은 수준의 기술 경쟁력 입증
차세대 디스플레이 장비 포트폴리오 확대
디스플레이 사업에서 TFT Layer와 Encapsulation 기술의 고도화 추진. ToE(Touch sensor on
thin film Encapsulation), CVD(Chemical Vapor Deposition, 화합물을 기체 상태로 만들어 화학
반응을 통해 박막을 형성하는 기술), ALD(화합물을 원차층 단위로 증착하는 기술) 적용을 통한 제
품 포트폴리오의 확장. 중소형부터 대형 크기의 패널 제조 공정까지 아우르는 제품 다각화 시현
반도체 및 디스플레이 기술 융합을 통한 태양전지 효율 혁신으로 시장 선도
태양광 장비 사업에서 높은 수준의 HJT(Heterojunction Technology, 이종 접합기술) 태양전지
발전 전환 효율 달성. HJT는 단결정 실리콘 기판 양면에 비정질 실리콘을 증착하여 변환 효율을
높이는 차세대 태양전지 기술. 반도체 초미세 공정기술과 OLED 디스플레이 대면적 증착 기술의
융합을 통한 기술 구현. 35% 이상의 효율 달성이 가능한 차세대 탠덤(Tandem) 태양전지 장비
개발을 통한 시장의 패러다임 변화 주도1993년 4월 설립되어 1999년 코스닥 시장에 상장된 중견기업
반도체, 디스플레이, 태양광
장비를 생산하는 전문기업
주성엔지니어링은 1993년 4월에 설립되어 1999년 코스닥 시장에 상장된 중견기업으로, 증착 장비 업계의 강자이다.
경기도 광주시에 본사, 경기도 용인시에 R&D센터를 두고 있으며, 반도체, 디스플레이, 태양광 장비를 생산하는 전문기
업이다. 반도체 장비 대비 디스플레이 장비와 태양광 장비의 매출 변동성이 상대적으로 큰 편이고 평상시에는 반도체
장비가 매출의 대부분을 차지하고 있다(2024년 1~3분기 기준 80% 수준 차지).
반도체 장비 사업 부문에서는 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 및 화학 기상 증착(CVD: Chemical
Vapor Deposition) 장비, SD(Space Divided, 공간 분할) System, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장비인
HDP(High Density Plasma) CVD, 건식 식각 장비인 Dry Etch, 금속 유기화학 기상 증착 장비인 MO(Metal Organic)
CVD, 초고진공 화학 기상 증착 장비인 UHV(Ultra High Vacuum) CVD 등 다양한 장비를 주력 제품으로 생산한다.
디스플레이 장비 사업 부문은 LCD 제조용 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장비인 PE(Plasma Enhanced)-CVD와
OLED(Organic Light Emitting Diode) 제조용 열 증착 및 화학 기상 증착 장비인 TSD(Thermal Surface
Deposition)-CVD를 공급한다.
또한 태양전지 분야에서 사용되는 결정형(c-Si: crystalline Silicon) 및 박막형(Thin-film) 태양전지용 증착 장비도 생산
하고 있다. 박막형은 유리나 금속 기판 위에 광흡수층을 얇게 증착하는 방식이며, 결정형은 실리콘 웨이퍼를 기반으로
하여 높은 변환 효율을 달성할 수 있는 기술이다. 결정형 태양전지 제조에서도 고품질 박막 증착을 위한 증착 장비가
필요하다. 주성엔지니어링의 핵심 기술력을 대표하는 "증착 장비"는 전자산업의 심장부를 제조하는 핵심 설비이다. 정교한 증착
장비는 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 제조 과정에서 필수적인 역할을 수행한다. 증착 장비의 주요 기능은 특정
물질을 기판 위에 나노미터(nm) 수준의 극도로 얇은 막 형태로 쌓는 것이다.
증착 공정의 정밀도는 일반적인 제조 공정과는 차원이 다르다. 예를 들어, 사람의 머리카락 두께가 약 100,000nm인
데 반해, 최신 반도체 공정에서는 수 나노미터(nm) 수준의 두께 제어가 요구된다. 이는 마치 파티시에(Pâtissier)가 최
고급 케이크를 만들 때 각각의 시트를 정교하게 쌓아 올리는 것과 같은 정밀함이 요구되지만, 그보다 훨씬 더 미세한
수준의 정확도가 필요하다.
증착 공정에서는 특정 물질을 균일한 두께로 증착하여 정교하게 전자 회로를 형성하는데, 이 과정에서 미세한 오차조
차 허용되지 않는다. 예컨대, 반도체 칩 내부의 수십억 개의 트랜지스터들은 동일한 특성을 가져야 하며, 이를 위해서
는 증착된 막질의 두께와 특성이 전 영역에 걸쳐 균일해야 한다. 균일하지 않게 증착되면 해당 영역의 트랜지스터는 정
상적으로 동작하지 않을 수 있으며, 이는 전체 반도체 칩의 불량으로 이어질 수 있다.
이처럼 증착 공정은 전자기기의 성능과 신뢰성을 결정짓는 핵심 공정이며, 나노미터 기술의 정수를 보여주는 대표적인
예시이다. 특히 반도체의 집적도가 높아지고 소자의 크기가 점점 작아지면서, 증착 공정의 정밀도는 더욱 중요해지고
있다. 이는 곧 증착 장비의 기술력이 곧 전자산업 전반의 발전 속도를 좌우하는 핵심 요소라는 것을 의미한다.
증착 공정은 그 방식에 따라 크게 물리적 증착(PVD)과 화학적 증착(CVD)으로 구분된다. 물리적 증착은 진공 상태에서
목표 물질을 물리적인 방법으로 증발시키거나 고에너지 입자로 때려서 떨어져 나온 원자들이 기판 위에 증착되도록 하
는 방식이다. 이는 마치 정원사가 잔디 씨앗을 정확한 양으로 균일하게 뿌리거나, 모래시계의 모래가 중력에 의해 아래
로 떨어져 쌓이는 것과 유사한 원리이다.
물리적 증착과 달리 Chemical Vapor Deposition (CVD)이라고 불리는 화학적 증착은 다양한 기체 상태의 화학 물질
들이 기판 표면에서 화학 반응을 일으켜 원하는 물질을 형성하는 방식이다. 이러한 증착 방식 중에서도 주성엔지니어
링이 기술적 우위를 확보하고 있는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정은 반도체 산업의 혁신을 이끄는
핵심 기술로 자리잡았다.
ALD는 한 번에 원자 지름 크기의 단일 층만을 정밀하게 증착할 수 있는 최첨단 공정으로, 나노미터 수준의 두께 제어
가 가능하다. ALD 공정의 정밀성은 미슐랭 3스타 레스토랑의 수석 셰프가 분자 요리(Molecular Gastronomy)를 선
보일 때의 과정과 흡사하다. 분자 요리에서 셰프가 화학적 반응을 활용해 각각의 층을 미세하게 조절하며 완벽한 균형
과 조화를 이루는 요리를 만들어내듯, ALD 공정 역시 원자 단위의 극도로 정밀한 제어가 요구된다. 이러한 정교한 기
술력을 바탕으로 더욱 미세화되는 반도체 공정에서 ALD 공정은 필수불가결한 증착 방식으로 인정받고 있다. 증착 장비 분야에서는 반도체의 집적도가 높아지고 디스플레이의 해상도가 증가함에 따라 더욱 정교한 기술이 요구되
고 있으며, 특히 3D NAND Flash와 같은 차세대 메모리 반도체 제조에서는 초고종횡비(High Aspect Ratio) 구조에서
도 균일한 증착이 가능한 고성능 장비의 중요성이 더욱 커지고 있다. 이는 마치 초고층 케이크를 만들 때 모든 층이 완
벽하게 수평을 이루고 동일한 두께를 유지해야 하는 것과 같은 정밀도가 요구되는 것이다. 그렇다면 증착 공정은 반도체, 디스플레이, 태양광 제조 공정에서 어떤 역할을 담당하고 있을까? 증착 공정을 통해서
만들어지는 것은 구체적으로 무엇일까? 스마트폰, TV, 태양전지의 성능을 결정짓는 핵심 요소 중 하나가 바로 증착 공
정이다. 예를 들어, HJT(이종 접합) 태양전지에서는 단결정 실리콘 기판 양면에 비정질 실리콘을 정교하게 증착하여 전
하 이동 특성을 향상시키고 변환 효율을 극대화한다. 또한, 박막형 태양전지에서는 광흡수층과 반사 방지막 등을 증착
하여 효율적이고 균일한 에너지 변환을 가능하게 한다. 눈에 보이지 않는 나노미터 단위의 세계에서 일어나는 정교한
증착 공정은 원하는 물질을 한 층 한 층 쌓아 올리는 작업이다. 각 산업별로 증착 공정의 역할을 살펴보면 다음과 같
다. 반도체 제조에서 증착 공정은 트랜지스터와 배선을 형성하는 핵심 공정이다. 여기서 트랜지스터는 전기 신호를 증폭하
거나 스위치 역할을 하는 반도체의 핵심 부품으로, 마치 수도꼭지처럼 전류의 흐름을 제어한다. 트랜지스터를 만들기
위해 실리콘 웨이퍼 위에 여러 층을 증착하게 되는데, 각 층은 특별한 역할을 한다. 예를 들어, 절연막은 전선의 피복처
럼 각 층 사이를 전기적으로 분리하는 역할을 하고, 게이트 산화막은 전극과 채널(소스와 드레인 사이) 사이를 분리하
는 절연층으로서 전기적 문지기 역할을 하며, 금속 배선층은 트랜지스터들을 서로 연결하는 "전선" 역할을 한다. 특히
최근 3D NAND Flash와 같은 수직형(적층형) 구조 반도체에서는 수백 개의 층을 정교하게 쌓아 올려야 하므로, 원자
층 증착(ALD) 기술의 중요성이 더욱 커지고 있다.
반도체 제조 공정에서 증착 공정이 중요한 역할을 하는 것처럼, 디스플레이 제조에서도 증착 공정은 필수적이다. 증착
공정은 원하는 물질을 기판 위에 얇고 균일한 층으로 형성하여 디스플레이의 핵심 구조를 만드는 데 기여한다. 특히,
디스플레이의 내부 구조에서 스위치 역할을 담당하는 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor) 층을 형성할 때 이
공정이 사용된다. 박막 트랜지스터는 머리카락 두께의 수천 분의 1도 안 되는 얇은 반도체 막으로 제작된 스위치로, 디
스플레이에서 각 화소의 밝기와 색상을 정교하게 제어하는 핵심 역할을 한다. TFT의 정밀한 제어 덕분에 디스플레이
는 높은 해상도와 정확한 색 표현을 구현할 수 있다. 이처럼 TFT는 디스플레이 기술의 기본을 이루는 요소로, LCD와
OLED 모두에서 사용되며, 디스플레이의 성능과 품질을 결정짓는 데 중요한 역할을 한다.
현재 디스플레이는 크게 LCD(Liquid Crystal Display, 액정 디스플레이)와 OLED(Organic Light Emitting Diode, 유기
발광 다이오드) 두 종류로 나뉜다. LCD 디스플레이에서는 박막 트랜지스터(TFT) 층을 형성하기 위해 PE-CVD 공정이
핵심적으로 사용된다. PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 플라즈마 강화 화학 기상 증착)는
플라즈마 에너지를 이용해 기체 상태의 원료 물질을 분해하고, 이를 기판 위에 박막으로 증착하는 공정이다. LCD 디스
플레이에서 PE-CVD를 통해 만들어진 TFT는 전기 신호를 전달하여 액정을 정밀하게 제어하며, 디스플레이의 밝기와
명암비를 조절한다. 이러한 TFT의 정교한 제어 기술 덕분에 LCD는 신뢰성 높은 대중적인 디스플레이 기술로 자리 잡
았다.
이와 달리, OLED 디스플레이에서는 박막 트랜지스터(TFT)뿐만 아니라 봉지층(Encapsulation Layer)을 형성할 때도
증착 공정이 필수적이다. OLED는 디스플레이 패널 내부에서 유기물 소자가 직접 빛을 방출하는 발광 특성을 활용하는
데, 이 유기물 소자는 탄소를 기반으로 한 화합물로 구성되어 있으며, 전류가 흐를 때 자발적으로 빛을 내는 성질이 있
다. 그러나 OLED는 유기 소자를 사용하는 특성상 수분과 산소에 매우 취약하다. 수분과 산소가 유기물과 화학 반응을
일으키면 발광 특성이 저하되고, 이로 인해 디스플레이의 휘도와 색상 표현력이 급격히 감소하게 된다.
휘도는 디스플레이에서 방출되는 빛의 밝기를 나타내는 지표로, 화면의 가독성과 색 재현력을 결정짓는 중요한 요소이
다. 휘도가 낮아지면 화면이 흐릿해지고, 사용자는 콘텐츠를 명확히 볼 수 없게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 봉
지층은 OLED의 유기 소자를 외부 환경으로부터 보호하는 핵심적인 역할을 한다. 봉지층은 마치 음식의 진공포장처럼
수분과 산소의 침입을 차단하며, 디스플레이의 수명을 연장한다. OLED 디스플레이가 고품질의 성능을 유지하려면 봉
지층 형성 시 정밀한 증착 기술이 요구되며, 이 과정은 디스플레이 제조 공정에서 매우 중요한 단계로 여겨진다. 결론적으로, 증착 공정은 디스플레이 제조에서 LCD와 OLED 모두에 필수적이며, 각 디스플레이 기술에 따라 서로 다
른 역할과 기술이 요구된다. LCD에서는 TFT 형성을 위한 PE-CVD 공정이 중요한 역할을 하며, OLED에서는 유기물
소자의 보호를 위해 봉지층 형성에도 증착 공정이 사용된다. 특히 OLED의 경우, 유기물 소자를 안정적으로 보호하지
않으면 디스플레이의 수명과 성능이 크게 저하되므로, 봉지층 형성을 위한 정밀한 증착 기술이 필수적이다. 증착 공정
은 디스플레이 산업의 품질과 효율성을 좌우하는 핵심 기술로, 미래 디스플레이의 발전 가능성을 열어주는 중요한 요
소로 자리 잡고 있다. 태양광 산업에서 증착 공정은 태양전지의 광흡수층과 전극 형성에 활용된다. 광흡수층은 태양광을 흡수하여 전기로 변
환하는 핵심층으로, 광흡수층의 성능이 태양전지의 효율을 좌우한다. 전극은 태양전지에서 생성된 전기가 외부 회로로
흐를 수 있도록 하는 금속 배선으로, 마치 전선과 같이 전기를 전달하는 통로 역할을 한다. 태양전지는 크게 실리콘 태
양전지와 박막 태양전지로 나눌 수 있는데, 각각 증착 공정이 다르게 적용된다. 실리콘 태양전지는 순수 실리콘이나 실
리콘 결정을 기반으로 만든 가장 보편적인 형태로, 주로 질화규소(SiNx) 반사방지막을 증착하여 태양광의 반사를 최소
화한다. 이는 마치 안경의 반사방지 코팅과 같은 역할을 한다. 또한 전기를 외부로 내보내는 통로 역할을 하는 전극을
은(Ag)이나 알루미늄(Al) 같은 금속으로 증착한다박막 태양전지(유리나 금속 기판 위에 광흡수 물질을 얇은 막 형태로 증착하여 만든 태양전지)의 경우는 더욱 다양한
증착 공정이 필요하다. CIGS(구리-인듐-갈륨-셀레늄) 태양전지나 CdTe(카드뮴 텔루라이드) 태양전지와 같은 박막 태
양전지는 광흡수층 자체를 증착 공정으로 형성한다. 이 과정에서 각 원소의 비율을 정확하게 제어하는 것이 매우 중요
하다.
차세대 태양전지로 주목받는 페로브스카이트 태양전지(페로브스카이트라는 특수한 결정 구조를 가진 물질을 사용하여
제조가 간단하고 저렴하면서도 높은 효율을 낼 수 있는 신형 태양전지)는 더욱 정교한 증착 기술이 필요하다. 페로브스
카이트 층 외에도 전자전달층과 정공전달층이 핵심 요소인데, 전자전달층은 빛에 의해 생성된 전자를 전극으로 이동시
키고, 정공전달층은 반대 전하인 정공을 다른 전극으로 이동시키는 역할을 한다. 이러한 각각의 층들은 나노미터 수준
의 정밀도로 증착해야 하며, 특히 층과 층이 만나는 경계면의 특성이 매우 중요하다.
계면은 서로 다른 물질이 만나는 경계 부분으로, 이 부분에서 전자나 정공이 원활하게 이동할 수 있어야 높은 효율의
태양전지를 만들 수 있다. 만약 계면에 결함이 있거나 거칠기가 높으면 전하의 이동이 방해받아 태양전지의 성능이 크
게 저하될 수 있다. 이러한 복잡한 구조를 구현하기 위해서는 ALD와 같은 정밀한 증착 기술이 필수적이다. 증착 공정과 더불어 주성엔지니어링에 대해 말할 때 빼놓을 수 없는 용어는 고유전 물질이다. 고유전 물질(High-K)이
란 전기가 잘 통하지 않으면서도 전하를 많이 저장할 수 있는 특별한 물질을 말한다.
결과적으로, 고유전 물질의 원자들은 전기장이 가해졌을 때 이런 방식으로 정렬되며, 더 많은 전하를 끌어당길 수 있는
능력을 가지게 된다. 고유전 물질(High-K)은 반도체 산업에서 가장 중요한 혁신 소재 중 하나로 평가받고 있으며, 마치
작은 물통에 많은 물을 담을 수 있게 해주는 신기한 물질이라고 할 수 있다. 이러한 고유전 물질의 발견과 적용은 반도
체의 소형화와 고성능화를 가능하게 만든 핵심 기술이다. 반도체 산업에서 본격적으로 고유전(High-K) 물질이 도입되기 이전에는 이산화규소(SiO2)가 반도체 소자의 게이트 유
전체 및 절연층으로 핵심적인 역할을 수행했다. 이산화규소는 트랜지스터의 게이트 전극과 채널 사이에서 절연막을 형
성하여 전류의 흐름을 정밀하게 제어하는 기능을 담당했는데, 이는 오늘날 High-K 물질이 수행하는 역할과 근본적으
로 동일한 원리이다. 다만, 이산화규소는 상대적으로 낮은 유전율(k=3.9)로 인해 반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따
라 물리적 한계에 직면하게 되었다.
이산화규소는 아주 높지도, 낮지도 않은 유전율을 가진 대표적인 물질로, 반도체 산업의 초창기부터 오랫동안 표준 물
질처럼 사용되어 왔다. 불소가 도핑된 산화규소(SiOF, 유전율 3.5)나 탄소가 도핑된 산화규소(SiOC, 유전율 2.8) 등 물
질들도 있었지만, 이산화규소는 실리콘 웨이퍼과의 완벽한 계면 특성과 우수한 절연 성능, 그리고 공정의 안정성 덕분
에 가장 널리 사용되었다. 마치 오랫동안 믿고 써온 플라스틱 물통과 같은 존재였다. 반도체가 점점 작아지면서 이 '물
통'으로는 충분한 양의 '물'(전하)을 저장할 수 없게 되었다. 나노미터 단위로 작아지면서 누설 전류와 같은 심각한 문제
들이 발생하기 시작했다. 이러한 기술적 한계를 극복하기 위해 새로운 물질에 대한 연구가 시작되었고, 이때 등장한 것
이 고유전 물질이다. 즉, 이산화규소의 한계를 극복하기 위해 더 높은 유전율을 가진 High-K 물질로의 전환이 필요해
진 것이다. 메모리 반도체에 해당하는 DRAM에서는 고유전(High-K) 물질의 변천사가 흥미롭다. DRAM은 정보를 저장하기 위해
무수히 많은 축전기(커패시터)를 사용하는데, 이 축전기가 전하를 얼마나 잘 저장하고 유지하는지가 메모리의 성능을
좌우한다. 특히 DRAM은 시간이 지나면 저장된 전하가 점차 방전되어 정보가 사라지는 '리프레시'라는 근본적인 한계
를 가지고 있어, 가능한 한 많은 전하를 오래 저장할 수 있는 고유전 물질이 절실히 필요했다.
DRAM의 리프레시 구조는 사실 의도된 설계 선택이었다. 1960년대 DRAM이 개발될 당시, 완벽한 전하 보존이 가능
한 구조를 만드는 것은 기술적으로 불가능했다. 대신 개발자들은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터만으로 1비트를
저장하는 단순한 구조(1T1C)를 채택했다. 이는 6개의 트랜지스터가 필요한 SRAM과 비교했을 때 훨씬 작은 면적으로
더 많은 용량을 구현할 수 있었다. 주기적인 리프레시가 필요하다는 단점이 있었지만, 단순한 구조가 가져다주는 높은
집적도와 생산 효율성이라는 이점이 더 컸기 때문이다. 결과적으로 이러한 설계 선택은 DRAM이 현재까지도 주력 메
모리로 사용되는 중요한 토대가 되었다.
이는 트랜지스터의 상태로 정보를 저장하는 SRAM이나 전하를 물리적으로 가두는 구조의 NAND Flash와는 다른
DRAM만의 특징이다. SRAM은 커패시터가 원래부터 존재하지 않는 구조이고, NAND Flash는 원래 2D 평면 구조로
설계되어 있었기 때문에 3D 수직 구조의 3D NAND Flash(또는 Vertical NAND Flash)로 전환되기 전까지는 고유전
물질의 필요성이 상대적으로 낮았다.
이러한 구조적 특성으로 인해 DRAM은 다른 메모리 반도체들보다 더 일찍 고유전 물질을 도입하게 되었다. 처음에는
질화규소(SiN, 유전율 7)를 사용했다가, 산화알루미늄(Al2O3, 유전율 9)으로 바뀌었고, 이어서 산화하프늄(HfO2, 유전
율 25)이 사용되었다. 이후에는 지르코늄 산화물(ZrO2, 유전율 37)이 사용되고 있다. 이러한 변화는 단순한 물질의 교
체가 아닌, 반도체 성능의 비약적인 발전을 가져왔다. 마치 플라스틱 물통에서 시작해 점점 더 많은 물을 담을 수 있는
특수 용기로 발전해 온 것과 유사하다.
고유전 물질을 정교하게 쌓는 데는
원자층 증착(ALD) 기술이 필수적
고유전 물질을 정교하게 쌓는 데는 원자층 증착(ALD) 기술이 필수적이다. ALD는 마치 얇은 종이를 한 장씩 정교하게
쌓아 올리듯이, 원자 단위로 물질을 정확하게 쌓을 수 있는 기술이다. 특히 고유전 물질의 증착에는 여러 가지 까다로
운 과제들이 존재한다.
첫째, ZrO2나 HfO2와 같은 고유전 물질들은 대부분 복잡한 구조의 금속 또는 준금속 산화물이어서 정교한 원자층 제
어가 필요하다. 여기서 준금속이란 규소(Si)나 게르마늄(Ge)처럼 금속과 비금속의 중간적 성질을 가진 원소들을 말하는
데, 이들은 특정 조건에서 금속처럼 전기를 잘 통하면서도 비금속의 특성도 함께 가지고 있다. 정교한 원자층 제어를
위해 ALD는 금속 또는 준금속 원자를 포함한 기체인 전구체와 산화제의 주입 타이밍과 양을 극도로 정밀하게 제어해
야 한다. 전구체란 증착하고자 하는 금속이나 준금속 원자를 포함하고 있는 기체 상태의 화합물을 말하며, 산화제는 이
금속이나 준금속을 산화물 형태로 만들어주는 산소를 포함한 기체(예: H2O, O3, O2 플라즈마 등)를 의미한다. 쉽게 말해
전구체는 벽돌을 제공하고, 산화제는 이 벽돌을 단단하게 굳히는 시멘트 역할을 한다고 볼 수 있다. 둘째, 고유전 물질은 결정화가 잘 일어나는 특성이 있다. 결정화는 막질의 균일성을 해칠 수 있어서, ALD는 증착 온도
와 시간을 매우 정밀하게 제어하여 원하는 결정 구조만 선택적으로 형성할 수 있어야 한다. 이는 마치 요리사가 초콜릿
을 녹일 때 온도를 정교하게 조절하여 원하는 결정 구조만 만드는 것과 비슷하다.
셋째, 고유전 물질들은 기판과의 계면에서 원치 않는 화학 반응이 일어나기 쉽다. 이를 막기 위해 ALD는 각 반응 단계
에서 불필요한 부산물을 완벽하게 제거할 수 있어야 하며, 필요한 경우 계면층을 따로 형성할 수 있는 정교한 제어 능
력이 필요하다.
넷째, 3D 구조가 더욱 복잡해지고 깊어지면서, ALD는 더 긴 가스(기체) 주입 시간과 더 효율적인 가스 전달 방식을 개
발해야 한다. 이는 마치 깊은 동굴 속 구석구석까지 안개를 균일하게 채우는 것과 같은 도전 과제다.
이러한 여러 도전 과제들을 해결하기 위해 ALD 장비는 더욱 정교한 가스(기체) 전달 시스템, 더 정확한 온도 제어 시
스템, 그리고 더 빠른 처리 속도를 위한 다중 웨이퍼 처리 능력(한 챔버 안에 여러 웨이퍼를 배열하여 동시에 증착 공
정을 전개하거나 여러 개의 처리 챔버를 하나의 시스템에 통합하여, 각 챔버에서 서로 다른 공정을 동시에 진행하는
것) 등을 갖추는 방향으로 발전하고 있다. 이러한 발전을 통해 ALD는 고성능 반도체 제조의 핵심 기술로 자리 잡았다.
DRAM에서 시작된 고유전 물질의 혁신은 다른 메모리 반도체에도 큰 영향을 미쳤다. 특히 2013년부터 양산이 시작된
3D NAND Flash 메모리에서도 새로운 고유전 물질들이 주목받고 있다. 3D NAND는 마치 여러 층의 아파트처럼 수직
으로 쌓아올린 구조를 가지고 있는데, 각 층은 세 개의 중요한 막으로 구성되어 있다. 가장 안쪽의 터널 산화막은 전자
가 통과할 수 있는 얇은 통로 역할을 하며, 그 바깥의 전하 저장층은 실제로 정보를 저장하는 공간이다. 그리고 가장
바깥쪽의 블로킹 산화막은 저장된 전하가 빠져나가지 않도록 막아주는 방어벽 역할을 한다.
이 중 블로킹 산화막으로 산화알루미늄과 산화하프늄을 교대로 쌓는 라미네이트 구조(HfAlO, 유전율 15-20)가 널리
사용되고 있으며, 최근에는 더 높은 유전율을 가진 산화지르코늄-알루미늄 라미네이트(ZrAlO, 유전율 20-25)도 연구
되고 있다. 이러한 라미네이트 구조는 각 물질의 장점을 결합하여 더 우수한 특성을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
이러한 고유전 물질들을 3D NAND의 수직형(적층형) 구조에 적용할 때 가장 중요한 것은 높은 종횡비(깊이가 너비에
비해 매우 큰 구조)에서의 우수한 피복성이다. 여기서 피복성이란 얼마나 고르게 막을 입힐 수 있는지를 나타내는 특성
이다. 이는 마치 복잡한 모양의 과자에 초콜릿 코팅을 하는 것과 비슷한데, 깊고 좁은 구멍이나 날카로운 모서리가 있
더라도 모든 표면을 균일한 두께로 코팅할 수 있어야 한다. 특히 3D NAND는 수십 층을 수직으로 쌓아 올리면서 생기
는 깊고 좁은 구멍에도 균일하게 고유전 물질을 증착할 수 있어야, 더 많은 저장 용량과 더 빠른 동작 속도를 가능하게
만든다. 나아가 새로운 후보 물질들도 연구되고 있다. 산화란타늄(La2O3, 유전율 30)이나 산화이트륨(Y2O3, 유전율 15)과
같은 물질들이 차세대 고유전 물질로 주목받고 있다. 이러한 새로운 물질들은 기존 물질들의 한계를 뛰어넘는 특성을
보여주고 있다. 특히 이러한 물질들은 기존 물질들보다 더 얇은 두께로도 원하는 성능을 낼 수 있어, 반도체의 집적도
를 더욱 높일 수 있을 것으로 기대한다. 또한 이러한 신물질들은 더 낮은 누설 전류와 더 높은 신뢰성을 제공할 수 있
다.
로직 반도체 분야에서
고유전 물질의 도입은
하나의 혁신적인 전환점
이처럼 메모리 반도체 분야에서 시작된 고유전 물질의 혁신은 반도체 산업 전반으로 확산되었다. 특히 로직(비메모리)
반도체 분야에서 고유전 물질의 도입은 하나의 혁신적인 전환점이 되었다. 2007년 인텔이 45나노미터 공정에서 처음
으로 트랜지스터의 게이트 산화막에 산화하프늄(HfO2) 기반의 고유전 물질을 도입했는데, 이는 '고유전체 금속 게이트
'(High-K Metal Gate, HKMG) 기술로 불리며 반도체 미세화의 한계를 극복하는 획기적인 사건이었다. 기존에 사용하
던 이산화규소로는 트랜지스터가 더 작아질수록 전류가 새는 문제를 해결할 수 없었기 때문이다.
이후 로직(비메모리) 반도체 분야에서 삼성전자와 TSMC 등 다른 기업들도 32/28나노미터 공정부터 HKMG 기술을
본격적으로 적용하기 시작했고, 이는 반도체의 고성능화와 저전력화를 가능하게 만든 핵심 기술이 되었다. 이러한 흐
름은 다시 메모리 반도체로 이어져, SK하이닉스가 2023년에 LPDDR(Low Power Double Data Rate)이라고 불리는
모바일 DRAM에 HKMG 기술을 적용하는 등 고유전 물질의 활용은 반도체 산업 전반에서 필수적인 요소가 되었다. 이처럼 반도체 산업에서는 끊임없이 더 나은 성능의 물질을 찾아 발전해왔다. 고유전 물질의 발전은 마치 주방용기의
발전과도 비슷하다. 처음에는 일반 플라스틱 용기였다가, 점점 더 효율적으로 공간을 활용할 수 있는 진공 용기, 압축
용기 등으로 발전한 것처럼, 반도체 산업에서도 더 작은 공간에 더 많은 정보를 저장할 수 있는 새로운 물질들을 계속
해서 개발하고 있다. 이러한 발전은 단순히 저장 용량의 증가뿐만 아니라, 에너지 효율성과 성능의 혁신적인 향상을 가
져왔다. 특히 최근에는 인공지능과 빅데이터 처리에 필요한 고성능 메모리의 수요가 증가하면서, 고유전 물질의 중요
성은 더욱 커지고 있다. 새로운 고유전 물질의 개발은 이제 반도체 산업의 핵심 경쟁력이 되었다.
고유전 물질과 ALD 기술의 발전은 반도체의 미래를 열어가는 핵심 열쇠가 되고 있다. 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적
인 반도체를 만들기 위한 기술의 발전은 우리의 디지털 생활을 더욱 풍요롭게 만들어 주고 있다. 특히 5G 통신, 자율
주행차, 인공지능 등 차세대 기술의 발전에 있어 고유전 물질의 역할은 더욱 중요해질 것으로 예상한다. 나노 단위의
극히 작은 세계에서 일어나는 혁신은 우리가 상상하는 미래를 현실로 만드는 원동력이 되고 있다. 이제 고유전 물질은
단순한 기술적 혁신을 넘어, 디지털 혁명의 새로운 장을 열어가는 핵심 요소로 자리잡았다.
SK하이닉스, LG디스플레이가 주요 고객사이며 반도체 부문에서 글로벌 고객사로 다변화
주성엔지니어링의 반도체 장비 사업 영역에서 주요 고객사 현황을 살펴보면, SK하이닉스가 가장 핵심적인 고객사로 자
리잡고 있다. 가장 최근에 SK하이닉스와 체결한 것으로 공시된 반도체 제조 장비 공급계약은 총 4건으로, 총 계약 규
모는 977억 원에 달한다. 이러한 지속적인 계약 체결은 주성엔지니어링의 기술력과 제품 신뢰성이 시장에서 충분히
검증되었음을 보여준다.
최근에는 고객 다변화 전략을 적극적으로 추진하고 있다. 메모리 반도체 분야에서 검증된 증착 장비 기술력을 바탕으
로 중국, 미국, 대만, 일본, 러시아 등 글로벌 시장으로 진출을 확대하고 있으며, 비메모리 고객사도 점진적으로 확보하
고 있다. 특히 반도체 전공정 분야에서 쌓은 기술력을 바탕으로 패키징용 인터포저(반도체에 해당하는 칩과 패키지 기
판 사이의 신호 경로를 최적화하기 위해 서로 다른 신호 체계를 가진 부품들을 연결하는 부품) 등 후공정 분야까지 사
업 영역을 확장하며 종합 반도체 장비 기업으로 도약하고 있다. 이는 반도체 산업의 전반적인 트렌드 변화와 고객사들
의 다양한 니즈에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
디스플레이 부문에서는 LG디스플레이가 주요 고객사로, 가장 최근 공시된 계약은 409억 원 규모의 제조 장비 공급계
약이다(2022년 2월). LG디스플레이가 대규모 설비투자에 보수적인 상황이라 주성엔지니어링의 디스플레이 장비 매출
은 제한적인 수준으로 시현되고 있으며 2025년부터의 실적 기여도는 미미할 것으로 판단한다.
한편, 태양전지용 장비 사업은 극명한 변화를 보여준다. 2010년과 2011년에는 각각 1,000억 원을 상회하는 매출을 기
록하며 주성엔지니어링의 주력 사업으로 성장했으나, 2010년대 초•중반 중국의 공격적인 시장 진입으로 인한 공급과
잉과 글로벌 금융위기가 겹치면서 태양광 셀 가격이 급락하고 글로벌 태양광 산업의 업황이 급격히 악화되어 이후에는
실적에 거의 기여하지 못했다. 그럼에도 불구하고, 주성엔지니어링은 박막형과 결정질 태양전지용 증착 기술을 모두
보유한 강점을 바탕으로 꾸준한 투자를 이어왔고, 최근 글로벌 시장의 태양광 전문기업인 EnCORE Group과 471억
원 규모의 계약을 체결하며 사업 재도약의 발판을 마련했다(2021년 9월). 주성엔지니어링은 용인 R&D센터를 통해 반도체, 디스플레이, 태양광 기술의 시너지를 극대화하는 연구개발에 박차를
가하고 있다. 이러한 통합적 기술 개발 접근은 각 사업 부문의 경쟁력 강화로 이어지고 있으며, 글로벌 시장에서의 입
지 강화와 함께 주성엔지니어링의 성장성과 수익성 개선에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 전망한다. 반도체 제품 포트폴리오 다변화로 디스플레이, 태양전지 사업의 실적 변동성 방어
주성엔지니어링의 주력 제품 중에 디스플레이 장비와 태양광 장비의 실적 기여에 변동성이 있다 보니 주성엔지니어링
은 반도체 제품 포트폴리오 다변화를 통해 안정적인 실적을 창출하기 위해 노력하고 있다. 실제로 과거 매출을 살펴보
면 특정 연도에 디스플레이 장비나 태양광 장비의 매출이 급감하거나 전무한 경우가 있었기 때문이다. 이러한 상황에
서 주성엔지니어링은 반도체 장비 기술력 강화에 집중했다. 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식(枚葉式) LP(Low
Pressure) CVD 장비를 시작으로, 고밀도 플라즈마 방식의 HDP(High Density Plasma) CVD 장비 등 다양한 장비를
개발하며 기술 역량을 축적했다. 최근에는 원자 단위의 정밀한 증착이 가능한 ALD 장비 공급에 주력하고 있 구성 및 주가 흐름
주성엔지니어링의 최대주주는 황철주 대표이사/회장으로, 25.14%의 지분(11,884,811주)을 보유하고 있다. 황철주 회장
은 1993년부터 현재까지 주성엔지니어링 대표이사/회장을 역임하고 있으며, 제20대 한국발명진흥회 회장, 한국중견
기업연합회 제2기 수석부회장, 기업가정신학회 명예회장 등을 겸임하고 있다. 2대 주주는 오스템임플란트 전 회장인
최규옥으로 7.56%의 지분(3,574,129주)을 보유하고 있다. 2010년 이후 주성엔지니어링의 주가 흐름은 다음과 같다. 2011년부터 2014년까지는 추세적으로 하락했다. 이는
2010년대 초•중반 중국의 공격적인 시장 진입으로 인한 공급과잉과 글로벌 금융위기가 겹치면서 태양광 셀 가격이 급
락하고 글로벌 태양광 산업의 업황이 급격히 악화되어 주성엔지니어링의 태양전지 장비 매출이 급감했기 때문이다. 반
도체 장비 사업에 대한 기대감도 낮았다. 주요 고객사였던 SK하이닉스가 2012년까지 분기 영업 손실을 기록하며 설비
투자 여력이 제한적이었고, 이는 주성엔지니어링의 수주 부진으로 이어졌다.
이후 2015년부터 주가는 회복세를 보였다. 가장 큰 이유는 디스플레이 분야에서 LCD에서 OLED로의 전환을 적극 추
진하던 LG디스플레이로부터 대규모 장비 수주를 받아 주성엔지니어링의 디스플레이 장비 매출이 꾸준히 증가했기 때
문이다. 특히 OLED 디스플레이 제조에 필수적인 증착 장비 수주가 크게 늘어났으며, 이는 주성엔지니어링의 기술력이
시장에서 인정받았다는 것을 의미했다. 또한 이 시기에는 글로벌 스마트폰 시장의 성장과 함께 프리미엄 스마트폰용
디스플레이로 OLED 디스플레이의 채택이 확대되면서, 디스플레이 업계의 설비투자도 활발히 이루어졌다. 주성엔지니
어링은 이러한 시장 흐름을 잘 포착하여 실적 개선으로 연결시켰다. 대통령 당선 이후인 2018년에는 약 2년간 주가가 추세적으로 하락했다. 미중 무역분쟁에 대한 우려, 메모리 반
도체(DRAM) 가격의 하락, 2020년 초의 코로나 발발 때문이다. 특히 미중 무역분쟁은 글로벌 공급망 전반에 불확실성
을 가중시켰고, 주요 고객사들의 설비투자 계획 조정으로 이어졌다. 여기에 메모리 반도체 시장의 공급과잉 우려가 겹
치면서 DRAM 가격이 하락했고, 이는 반도체 장비 업체들의 수주 전망을 어둡게 만들었다. 코로나19의 갑작스러운 확
산은 이러한 부정적 상황을 더욱 악화시키는 계기가 되었다.
코로나 팬데믹 발발 이후 주가는 2022년까지 추세적으로 상승했고, 2010년 및 2017년 당시의 고점을 상회했다. 이는
주요 고객사인 SK하이닉스가 개선된 현금창출능력(EBITDA)을 바탕으로 과거 대비 설비투자를 적극적으로 전개하고,
주성엔지니어링이 중화권을 중심으로 해외 고객사 확보를 위해 영업을 확대했기 때문이다. 이후 반도체 업황이 극도의
불황을 겪었던 2023년에 다시 주가가 하락했지만, 해외 고객사 포트폴리오 확대와 반도체 제품 포트폴리오 확대가 가
시화되며 주가는 과거 고점 대비 높은 수준을 유지하고 있다. 특히 첨단 공정에 필수적인 ALD 장비에 대한 수요가 꾸
준히 증가하고 있어, 주식 시장에서는 주성엔지니어링의 장기적인 성장 가능성을 긍정적으로 평가하고 있반도체 산업은 디스플레이, 태양광과 달리 첨단 기술 발전 지속
주성엔지니어링은 반도체, 디스플레이, 태양광 분야에서 제품 판매와 유지보수 서비스를 제공하고 있는데, 현재 이 세
산업 모두 녹록지 않은 상황이다. 우선 반도체 산업의 경우 인공지능 분야를 제외한 전반적인 수요가 2년째 부진한 상
태이다. 디스플레이 산업에서는 이미 한국, 대만, 일본의 주도권이 중국으로 넘어갔으며, 2016~2017년에 대규모 설비
투자를 집행했던 한국의 디스플레이 제조사들은 신중하고 보수적인 입장을 보이고 있다. 태양광 분야 역시 2010년대
초반부터 최근까지 중국발 공급 과잉으로 인해 밸류체인 전반에 걸쳐 웨이퍼, 셀, 모듈 가격이 하락세를 보여왔다. 이
처럼 주요 사업 분야 전반에 걸친 산업 악재들을 고려하면 주성엔지니어링의 매출 성장은 쉽지 않아 보인다. 주성엔지니어링의 매출 성장이 쉽지 않은 이러한 상황에서도, 회사의 성장을 이끄는 핵심 동력은 단연 반도체 제품 포
트폴리오 다변화이다. 반도체, 디스플레이, 태양전지가 모두 제조업의 한 분야이지만, 그중에서도 반도체 산업은 특별
한 차이점을 가진다. 바로 '무어의 법칙'으로 대변되는 지속적인 미세화와 적층화가 산업의 발전 방향을 주도하고 있다
는 점이다. 무어의 법칙은 인텔의 공동 창업자인 고든 무어가 1965년에 제시한 것으로, 집적회로의 성능이 약 24개월
(혹은 18개월)마다 2배씩 증가한다는 이론이다. 이는 반도체 칩에 집적되는 트랜지스터의 수가 일정 주기로 두 배씩
증가하며, 이에 따라 처리 속도는 향상되고 비용은 감소한다는 것을 의미한다.
반도체 산업에서 미세화란 반도체 칩 내부의 트랜지스터와 배선의 크기를 더욱 작게 만드는 것을 의미한다. 이는 마치
넓은 땅에 더 많은 집을 지을 수 있도록 각 집의 크기를 줄이는 것과 같다. 동일한 면적의 반도체 칩에 더 많은 트랜지
스터를 집적할 수 있게 되어 성능은 향상되고 전력 소비는 감소하게 된다.
반도체 산업에서 적층화는 반도체 소자를 수직으로 쌓아 올리는 기술을 말한다. 미세화에 의한 평면적인 구조 변화가
한계에 다다르자 반도체 업계는 수직으로 쌓아 올리는 방식을 택한 것이다. 이는 마치 도심에서 토지가 부족해지자 고
층 빌딩을 짓는 것과 같은 원리다. 이러한 3차원 구조는 더 많은 집적도를 가능하게 하지만, 각 층을 정교하게 쌓아 올
려야 하는 기술적 난제가 존재한다. 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적인 반도체를 만들기 위해서는 필연적으로 이러한 미
세화와 적층화를 위한 제조 공정의 혁신이 요구되며, 이는 곧 새로운 제조 장비에 대한 수요로 이어진다. 3D NAND
Flash와 3D DRAM은 전공정 단계에서 반도체 소자를 수직으로 쌓아올리는 사례이며, 후공정 분야에서도
TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용한 HBM(High Bandwidth Memory)과 같은 수직 적층 패키지 기술이 적용된
다. 반도체가 더욱 미세화, 적층화되면서 기존 공정으로는 구현이 불가능한 영역이 늘어나고 있다. 이러한 기술적 한계를
극복하기 위해 새로운 공정과 장비가 지속적으로 요구되는데, 이는 디스플레이나 태양전지 분야와는 확연히 다른 특징
이다. 디스플레이는 대형화와 해상도 향상이, 태양전지는 발전 효율 개선이 주된 발전 방향이지만, 이들은 반도체만큼
급진적인 제조 공정의 혁신을 필요로 하지 않는다. 이러한 차이점으로 인해 주성엔지니어링은 반도체 장비 사업을 중
심으로 한 성장 전략을 구사하고 있으며, 특히 원자층 증착(ALD) 기술과 같은 차세대 반도체 제조에 필수적인 장비 개
발에 주력하고 있다. 결과적으로 반도체 제조 공정의 진화는 주성엔지니어링의 지속적인 매출 성장을 견인하는 핵심
동력이 되고 있다. ALD(원자층 증착) 기술은 최근 주목받고 있는 글래스 인터포저(Glass Interposer) 분야에서도 중요한 역할을 할 것으
로 판단한다. 글래스 인터포저는 반도체 패키징의 새로운 접근법으로, 기존 실리콘 소재로 만들어진 인터포저의 한계
를 극복하기 위해 글래스 소재를 사용하는 기술이다. 이 공정에서 ALD 기술은 시드 레이어(Seed Layer) 증착에 활용
될 것으로 예상한다. 시드 레이어는 후속 공정에서의 구리 배선 저항을 낮추는 역할을 할 것으로 추정한다. 주요 반도
체 기업들이 동 기술의 도입을 검토 중인 것으로 알려져, ALD 장비 공급사의 관점에서는 새로운 성장 동력이 될 것으
로 전망한다. 반도체 산업에서 글래스 인터포저로의 전환이 필요한 이유는 현재 사용되는 실리콘 소재 인터포저의 한계와 관련이 있
다. 인터포저는 쉽게 말해 여러 반도체 칩들 사이에서 일종의 '중간 다리' 역할을 하는 기판이다. 마치 여러 개의 섬을
연결하는 다리처럼, 인터포저는 각각의 반도체 칩들을 전기적으로 연결하고 신호를 주고받을 수 있게 해준다.
반도체 칩이 더욱 고성능화되고 복잡해지면서, 이러한 '중간 다리' 역할을 하는 인터포저의 역할이 더욱 중요해지고 있
다. 기존의 실리콘 인터포저는 높은 제조 비용과 대면적화의 어려움, 그리고 전기적 특성의 한계를 가지고 있었다. 인
터포저의 차세대 소재로 꼽히는 글래스는 실리콘에 비해 열팽창 계수가 낮아 열에 의한 변형이 적고, 전기적 특성도 우
수하다. 특히 고성능 컴퓨팅이나 인공지능 반도체와 같이 많은 열이 발생하고 빠른 신호 전달이 필요한 제품에서는 이
러한 글래스 인터포저의 장점이 더욱 부각된다. 이러한 이점들로 인해 주요 반도체 기업들은 글래스 인터포저 도입을
적극적으로 검토하고 있으며, 이는 주성엔지니어링과 같은 관련 제조장비 기업의 성장으로 이어질 수 있다.
ALD 장비 기술이 글래스 인터포저 제작에서 핵심적인 역할을 하는 이유는 공정의 정밀성과 균일성에 있다. ALD 공정
은 근본적으로 원자 단위의 두께 제어가 가능하고, 복잡한 구조에서도 균일한 증착이 가능하다는 특징을 가지고 있다.
이는 글래스 인터포저의 시드 레이어 형성에 있어 매우 중요한 요소가 될 것으로 추정한다.
반도체 공정에서 일반적으로 증착 공정을 해야 할 때 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학 기상 증착) 공정 장비
가 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층증착) 공정 장비보다 더 많이 사용된다. 이는 CVD가 ALD에 비해 상대적
으로 빠른 증착 속도와 경제성을 제공하기 때문이다. 그래서 사실상 글래스 인터포저용 ALD 장비는 틈새 시장(niche
market)용 장비라고 할 수 있다.
하지만 이러한 특수 분야에서도 ALD 장비가 사용된다는 것은 ALD 증착 장비 공급사에 매우 긍정적인 신호라고 할
수 있다. 이는 고도의 기술력이 요구되는 첨단 공정에서도 ALD 증착 기술이 인정받고 있다는 것을 의미하며, 향후 반
도체 산업이 더욱 미세화, 고도화됨에 따라 ALD 기술의 적용 범위가 더욱 확대될 수 있는 가능성을 보여주는 것이다. ALD가 적용될 수 있는 반도체 신기술 분야는 3D DRAM
글래스 인터포저 생산 공정과 더불어 ALD 장비가 적용될 수 있는 반도체 신기술 분야는 3D DRAM이다. 3D DRAM은
기존의 평면 구조 DRAM과 달리 실리콘 웨이퍼 내부에 수직으로 메모리 셀을 형성하는 혁신적인 기술이다. 마이크론
과 SK하이닉스가 이 기술 개발에 큰 관심을 보이고 있으며, 2025년 이후 상용화를 목표로 적극적인 연구개발을 하고
있다.
메모리 셀은 DRAM의 가장 기본적인 정보 저장 단위로, 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성되어 비트 단위
의 데이터를 저장한다. 트랜지스터는 스위치 역할을 하여 데이터의 읽기와 쓰기를 제어하고, 커패시터는 전하를 저장
하여 실제 데이터를 보관한다. 예를 들어, 커패시터에 전하가 충분히 저장되어 있으면 '1', 방전된 상태면 '0'을 나타내는
방식이다. 메모리 셀의 수가 많을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 메모리의 용량이 커진다. 고성능 컴퓨팅 환경
에서는 대용량의 데이터를 빠르게 처리해야 하므로, 가능한 한 많은 수의 메모리 셀을 집적하는 것이 중요하다.
기존의 미세화된 DRAM(2D-DRAM)은 평면상에서 메모리 셀의 크기를 줄이는 방식으로 발전해왔다. 하지만 물리적
한계에 근접하면서 더 이상의 미세화가 어려워지고 있다. 3D DRAM은 이러한 한계를 극복하기 위해 수직형(적층형)
구조를 도입해 메모리 셀을 수직으로 형성하는 방식을 사용한다.
3D DRAM은 현재 인공지능 분야에서 널리 사용되는 HBM(High Bandwidth Memory)과는 완전히 다른 접근방식을
가진 기술이다. HBM은 이미 제조가 완료된 여러 개의 2D-DRAM 칩을 후공정 단계에서 TSV(Through Silicon Via)
기술을 이용해 물리적으로 쌓아 올리는 패키징 기술이다.
TSV는 실리콘을 관통하는 미세한 구멍에 전도성 물질을 채워 만든 전기적 연결 통로로, 마치 아파트의 엘리베이터처
럼 각 층을 수직으로 연결하여 신호와 전력을 전달한다. 이는 마치 여러 층의 아파트를 쌓아 올리는 것과 비슷한 개념
으로, 각 층은 독립적으로 제조된 완성품(DRAM)이다. HBM은 이러한 방식으로 최대 8개 또는 12개의 DRAM 칩을 수
직으로 쌓아 대역폭을 극대화하고, 이를 통해 인공지능 연산에 필요한 빠른 데이터 처리 속도를 제공한다.
반면, 3D DRAM은 전공정 단계에서, 웨이퍼 내에서 수직형(적층형) 구조를 처음부터 메모리 셀 단위로 구현하는 혁신
적인 제조 공정 기술이다. 메모리 셀을 수직 방향으로 차곡차곡 형성하는 방식으로, 3D NAND Flash 메모리의 제조 방
식과 유사한 접근법을 취한다. 즉, HBM이 후공정(패키징) 단계에서의 수직 적층이라면, 3D DRAM은 전공정 자체에서
의 수직화라고 할 수 있다. 이러한 차이는 제조 비용과 성능, 그리고 적용 가능한 기술의 범위에도 큰 영향을 미친다. DRAM 제조에서 ALD 기술은 핵심적인 역할을 한다. 깊은 수직형(적층형) 구조 내부에 균일한 두께의 절연막과 전
극을 형성하기 위해서는 ALD의 우수한 단차피복성(Step Coverage)이 필수적이다. 단차피복성이란 계단이나 홈과 같
은 높낮이가 있는 표면에 얼마나 균일하게, 얇게 막을 입힐 수 있는지를 나타내는 특성이다. 쉽게 말해, 울퉁불퉁한 표
면이나 깊은 구멍에도 얼마나 고르게 증착을 할 수 있는지를 의미한다.
특히 고종횡비(High Aspect Ratio) 구조에서는 이러한 균일한 증착이 더욱 중요하다. 고종횡비란 구조물의 높이가 구
조물의 밑변의 길이에 비해 얼마나 높은지를 나타내는 비율이다. 3D DRAM은 3D NAND Flash와 마찬가지로 수직 적
층 구조를 사용하지만, 그 구현 방식에서 큰 차이를 보인다. 3D NAND Flash는 게이트 전극(아래 그림에서 연두색의
Control Gate)들을 수직으로 쌓아 올린 후 그 사이에 전하 저장층(아래 그림에서 하늘색의 Trap SiN)을 배치하고 수
직 방향으로 전류가 흐르는 통로(채널: 아래 그림에서 진회색의 Poly-Si)를 만드는 방식이라면, 3D DRAM은 깊은 구멍
을 뚫고 그 내벽에 절연체와 도체를 차례로 입혀 전하를 저장하는 구조를 만든다. 이 구멍은 수백 나노미터의 지름에
수만 나노미터의 길이를 가지는데, 머리카락 굵기만큼 미세하고 좁은 구멍 내부를 페인트칠하는 것처럼 극도로 정교한
공정이다. 기존의 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학 기상 증착)나 PVD(Physical Vapor Deposition, 물리 기상 증착) 공
정으로는 이러한 깊고 좁은 구조에 균일한 박막을 형성하기가 매우 어렵다. CVD는 화학 반응을 통해 기체 상태의 물
질을 고체 막으로 증착하는 방식으로, 마치 뜨거운 냄비 뚜껑에 수증기가 응결되어 물방울이 맺히는 것과 비슷한 원리
다. PVD는 물리적으로 원자나 분자를 날려 보내 막을 형성하는 방식으로, 가루 형태의 페인트 파우더를 뿌리는 것과
유사하다고 볼 수 있다.
이런 기존 공정들은 깊고 좁은 구멍(우물 또는 지하층)의 바닥까지는 균일하게 도달하기 어렵다. 반면 ALD는 원자층
단위로 한 층씩 정교하게 쌓아올리는 방식이기 때문에, 복잡한 3D 구조에서도 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다. 이
는 마치 숙련된 도배장인이 벽지 풀을 골고루 발라 모든 구석구석까지 완벽하게 벽지를 붙이는 것과 같다. 깊은 구멍이
나 좁은 틈새에도 벽지가 골고루 붙듯이, ALD도 복잡한 3D 구조의 모든 표면을 균일하게 코팅할 수 있다.
3D DRAM은 기존 평면형 2D DRAM의 집적도 한계를 돌파할 수 있는 차세대 기술로 주목받고 있다. 여기서 집적도
한계란, 평면 구조에서 더 이상 메모리 셀을 작게 만들기 어려워진 상황을 의미한다. 현재 DRAM은 10나노미터(nm)
중반 수준까지 미세화되었는데, 이보다 더 작게 만들면 전자의 누설이나 간섭 현상이 발생해 메모리가 제대로 동작하
지 않게 된다.
NAND Flash의 성공적인 3D 전환 사례는 DRAM 업계에 중요한 이정표가 되고 있다. 삼성전자는 2013년 세계 최초
로 3D NAND Flash(Vertical NAND)를 양산하기 시작했으며, 초기 24단이었던 적층 수는 현재 200~300단 수준이
며, SK하이닉스와 마이크론도 3D NAND Flash 시장에 성공적으로 진입했다. 이러한 수직형(적층형) 구조로의 전환은
NAND Flash의 저장 용량을 비약적으로 증가시켰고, 생산 비용도 크게 낮출 수 있었다.
NAND Flash의 이러한 성공 사례는 DRAM도 유사한 혁신이 가능하다는 것을 보여준다. 3D DRAM이 상용화되면 같
은 면적에서 훨씬 더 많은 메모리 용량을 구현할 수 있고, 이는 인공지능이나 빅데이터 처리와 같이 대용량 메모리가
필요한 응용 분야에서 획기적인 발전을 가져올 것으로 기대한다.
이러한 기술 혁신은 주성엔지니어링과 같은 ALD 장비 제조사들에게도 새로운 기회가 될 전망이다. 3D DRAM 생산에
는 고도의 정밀 증착 기술이 필요하며, 특히 수직형(적층형) 구조에서는 ALD 공정이 필수적이기 때문이다. 수백 층을
쌓아 올리는 3D DRAM 제조 공정에서 단 한 층이라도 균일하지 않게 증착되면 전체 소자의 성능과 수율에 치명적인
영향을 미칠 수 있다. 따라서 초정밀 ALD 장비의 중요성은 더욱 커질 것이며, ALD 장비 시장의 급격한 성장으로 이어
질 것으로 전망한다. 특히 3D DRAM 양산이 본격화되면 웨이퍼당 ALD 공정 수요가 증가하면서, ALD 장비의 수요는
기하급수적으로 늘어날 것으로 예상한High-K 물질 적용 확대로 메모리 반도체 중 3D NAND에서 ALD 장비 수요 증가
ALD 장비 공급사의 입장에서 반가운 또 하나의 소식은 메모리 반도체 분야에서 이미 10년 이상 양산이 되고 있는 3D
NAND Flash에서도 ALD 공정이 적용되는 영역이 점점 늘어나고 있다는 점이다. 이는 3D NAND의 적층 수가 증가함
에 따라 증착 공정의 정밀성과 균일성 요구가 강화되고, 기존 공정으로는 한계에 도달한 부분을 ALD 기술로 해결하려
는 움직임이 활발해졌기 때문이다.
전통적으로 ALD 공정은 3D NAND Flash보다 DRAM 제조에서 더 많이 활용되어 왔다. DRAM에서는 커패시터(데이
터를 임시 저장하는 곳)의 유전막(커패시터 안에서 두 전극 사이에 있는 절연막으로 전하를 효율적으로 저장하기 위해
필요)과 전극(커패시터에서 전기가 드나드는 통로 역할을 하는 도체 부분) 형성, 게이트 절연막(트랜지스터에서 게이트
와 채널 사이를 절연하는 막으로 전류의 흐름을 제어) 증착 등 고종횡비 구조(깊이가 넓이에 비해 매우 긴 구조를 의
미)에서의 정밀한 박막(얇은 막) 형성이 필수적이기 때문이다.
특히 ALD는 복잡한 수직형(적층형) 구조에서도 원자층 단위의 정밀한 제어가 가능하다는 장점 때문에, 게이트 스택 형
성에 필수적인 고유전율 물질(High-K)의 증착에서도 그 활용도가 점점 확대되고 있다. 최근에는 3D NAND Flash의
블로킹 산화막(Block Oxide)과 전하 저장층(Charge Storage Layer) 등에서 High-K 물질의 적용이 늘어나면서, ALD
장비의 수요도 함께 증가하는 추세다.
3D NAND Flash의 블로킹 산화막(Block Oxide)은 게이트에서 전하 저장층(Charge Storage Layer)으로의 원치 않는
전자 주입을 막아주는 절연막을 말한다. 기존에는 산화규소(SiO2)가 주로 사용되었으나, 최근에는 더 높은 성능을 위해
산화알루미늄(Al2O3)과 같은 고유전율 물질이 도입되고 있다.
한편, 전하 저장층(Charge Storage Layer)은 실제로 데이터가 저장되는 층으로, 주로 질화규소(Si3N4)가 사용된다. 이
층은 전자를 포획하여 데이터를 저장하는 역할을 하는데, 더 나은 전하 저장 능력을 위해 새로운 고유전율 물질의 도입
이 검토되고 있다.
이를 요약해보면, 블로킹 산화막(Block Oxide)에서는 원치 않는 전자 주입을 효과적으로 차단하기 위해, 전하 저장층
(Charge Storage Layer)에서는 더 많은 전자를 안정적으로 저장하기 위해 물질의 절연 특성을 나타내는 유전상수(K)
가 높은 High-K라고 불리는 고유전율 물질의 도입이 확대되고 있는 것이다.
이러한 고유전율(High-K) 물질의 적용 영역이 최근에는 더욱 확대되고 있다. 특히 주목할 만한 성과가 터널 산화막 분
야에서 나왔다. 'High-K incorporated in a SiON tunnel layer for 3D NAND programming voltage reduction'이라
는 제목의 최근 연구에서는, 3D NAND Flash의 터널 산화막에 High-K 물질을 도입하는 새로운 접근법을 제시했다.
터널 산화막은 채널과 전하 저장층(Charge Storage Layer) 사이에 위치한 절연막으로, 전자의 이동을 제어하는 중요
한 역할을 한다. 그렇다면 터널 산화막과 앞서 언급된 블로킹 산화막(Block Oxide)의 차이점은 무엇일까? 터널 산화막
은 블로킹 산화막(Block Oxide)과는 다른 개념으로, 터널 산화막이 채널에서 전하 저장층(Charge Storage Layer)으들어가는(입수되는) 전자의 흐름을 제어한다면, 블로킹 산화막(Block Oxide)은 반대쪽인 게이트 전극 방향으로 전
자가 빠져나가는(탈출하는) 것을 차단하는 역할을 한다. 동 연구가 특별한 이유는 기존에 High-K 물질이 주로 블로킹
산화막(Block Oxide)에 사용되었던 반면, 터널 산화막에도 도입하여 성능 개선을 시도했다는 점이다.
유전율이 높은 High-K 물질을
혼합한 HKSiON이 개발되어
ALD 장비로 증착됨
연구진들은 기존의 질화산화규소(SiON)에 하프늄(Hf)이나 알루미늄(Al)과 같이 상대적으로 유전율이 높은 High-K 물
질을 혼합한 HKSiON을 개발했다. 이 새로운 구조는 ALD 장비로 증착되었는데, 매우 얇은 SiON 층과 산화하프늄
(HfO2, High-K) 또는 산화알루미늄(Al2O3, 유전율이 8~10 정도로 High-K 물질에 속함)층을 교대로 증착하는 나노라
미네이트(nanolaminate) 방식을 사용했다. 특히 하프늄(하프늄 산화물의 유전율은 20~25 정도로 높음)의 경우 4%
정도의 낮은 함량으로도 게이트에 가해주는 전압(데이터를 저장하기 위해 게이트에 걸어주는 전기의 세기)을 2V 이상
낮출 수 있었으며, 데이터 보존 특성도 크게 훼손되지 않았다.
해당 연구에서 언급된 바와 같이 게이트에 가해주는 전압을 낮추는 것은 매우 중요한 과제다. 3D NAND가 수직으로
쌓이는 층수가 늘어날수록 게이트의 제어력이 약해지면서 데이터를 저장하기 위해 더 높은 전압이 필요한 문제가 발생
하기 때문이다. 게이트에 높은 전압을 가하게 되면 불필요한 전력 소비 증가와 소자의 신뢰성 저하를 초래할 수 있어,
이를 낮추는 기술의 개발이 시급한 상황이다.
이러한 연구 결과(상대적으로 유전율이 높은 High-K 물질을 혼합한 HKSiON을 개발하여 3D NAND Flash의 터널 산
화막에 적용)는 3D NAND에서 High-K 물질의 활용이 더욱 확대될 수 있음을 보여준다. 특히 모든 공정이 ALD로 진
행되었다는 점에서, ALD 장비 제조사들에게는 새로운 시장 기회가 될 것으로 전망한다. High-K 물질을 포함한 복잡한
다층 구조를 만들기 위해서는 ALD의 정밀한 증착 능력이 필수적이기 때문태양광은 구조조정 여파에서 살아남은 기업들 중심으로 기술 변화 전개
지금까지 반도체 산업에서의 기술 변화와 ALD 증착장비의 적용처 확장 가능성에 대해 살펴보았다. 이와 더불어 주성
엔지니어링의 입장에서 실적 기여도가 크지 않은 분야이지만, 태양광 산업의 현황과 전망도 점검해볼 필요가 있다. 태
양광 산업은 격동의 2010년대 초•중반을 지나 큰 변화를 겪었다.
현재는 First Solar, LONGi Solar, Canadian Solar, JinkoSolar와 같이 치열한 경쟁과 구조조정 시기를 성공적으로 견
뎌낸 소수의 선도 기업들을 중심으로 시장이 재편되었다. 이러한 산업 재편의 배경에는 중국의 영향력이 크게 작용했
다. 중국 정부는 태양광 산업을 미래 핵심 산업으로 지정하고 강력한 지원 정책을 펼쳤으며, 이에 힘입어 중국 업체들
은 대규모 설비투자를 단행했다. 그러나 이러한 공격적인 투자는 결과적으로 심각한 공급과잉을 초래했고, 시장 가격
의 급격한 하락으로 이어졌다.
태양광 시장 규모는 이차전지
시장과 비슷한 규모이며 반도체
시장 대비는 현저히 작은 수준
특히 태양광 패널 가격의 폭락은 산업 전반에 큰 충격을 주었다. 와트당 1달러를 훨씬 웃돌던 태양광 패널 가격이 0.5
달러 미만까지 급락하면서, 많은 기업들이 심각한 경영난에 직면했다. 이 과정에서 한때 업계를 선도하던 Solyndra,
Q-Cells, Suntech Power를 비롯한 수많은 기업들이 시장에서 퇴출되었다. 반면 이러한 혹독한 구조조정 기간을 견뎌
낸 기업들은 지속적인 기술 혁신과 원가 경쟁력 확보를 통해 안정적인 시장 지위를 구축해나가고 있다.
2023년을 기준으로 볼 때, 글로벌 신재생에너지 시장은 약 9,560억 달러 규모로, 이는 태양광, 풍력, 수력, 바이오매
스, 지열, 조력 등 다양한 청정에너지원을 포함한다. 이 중 태양광 시장은 1,641억 달러 규모로 성장했다. 이는 태양광
이 신재생에너지 시장의 주요 분야로 자리매김했음을 보여주는 수치다. 그러나 전통적인 전자산업의 대표 격인 반도체
시장(5,740억 달러)과 비교하면 현저히 작은 규모이며, 최근 급성장했던 이차전지 시장(1,680억 달러)과 비슷한 수준
이다.
태양광 산업이 그간 괄목할 만한 성장을 이루었음에도 불구하고, 밸류 체인 내에서의 판가 하락 때문에 시장의 규모가
상대적으로 제한적임을 보여준다. 동 분야에서 살아남은 기업들은 단순한 규모 경쟁에서 벗어나, 기술 혁신을 통한 경
쟁력 확보에 주력하고 있다. 태양광 시장의 주류를 이루는 태양전지는 결정형(c-Si) 태양전지이다. 결정형(c-Si) 태양전지는 실리콘(규소) 웨이퍼를
기반으로 하는 태양전지다. 실리콘 웨이퍼는 제조 방식에 따라 단결정과 다결정으로 나뉜다. 단결정 실리콘은 초크랄
스키법(Czochralski method)으로 실리콘 용융액에서 단일한 결정 방향을 가진 잉곳을 성장시켜 만든다. 규칙적인 결
정구조로 효율이 높지만 제조 비용이 비싸다. 반면 다결정 실리콘은 용융된 실리콘을 주형에 부어 굳히는 방식으로 제
조하는데, 여러 방향의 결정들이 섞여 있어 효율은 다소 낮지만 제조 비용이 저렴하다.
결정형 태양전지는 제조 공정이 안정적이고 성능이 검증되어 있다는 장점이 있다. 하지만 단결정 실리콘 태양전지의
경우 이론적 효율 한계인 20% 중후반 수준에 근접하면서 효율 향상이 어려워졌다. 효율을 조금이라도 높이기 위해서
는 제조 공정이 매우 복잡해지고 비용이 급격히 상승하는 문제가 발생한다. 이에 업계는 새로운 돌파구를 모색하고 있
다. 이러한 상황에서 주목받는 것이 HJT(Heterojunction Technology, 이종 접합 기술)이다. 'Hetero'는 '다른' 또는 '이질
적인'을, 'junction'은 '접합'을 의미하는데, 말 그대로 서로 다른 물질을 접합하는 기술을 뜻한다. HJT는 단결정 실리콘
기판 양면에 비정질 실리콘을 증착하는 구조다. 비정질 실리콘은 결정구조가 불규칙한 실리콘을 말하는데, 이를 결정
질 실리콘과 접합하면 서로의 장점을 살릴 수 있다. 결정질 실리콘은 안정적인 전하 이동을, 비정질 실리콘은 향상된
광흡수율을 제공한다. HJT의 이종 접합 구조는 전자와 정공의 재결합을 줄여 전기적 손실을 최소화할 수 있다. 나아가 업계는 페로브스카이트 태양전지와 같은 혁신적인 기술 개발에도 박차를 가하고 있다. 페로브스카이트(화합
물의 결정이 단순입방구조(simple cubic), 즉 정육면체 모양으로 생긴 물질)는 칼슘티타늄 산화물(CaTiO3)과 같은 결
정구조를 가진 물질군을 지칭하는데, 태양전지 분야에서는 주로 메틸암모늄 납 할라이드(CH3NH3PbX3) 계열의 물질이
사용된다. 해당 물질은 용액 공정으로도 제조가 가능해 비용이 낮으면서도, 높은 광흡수율과 우수한 전하 이동 특성을
보여준다. 특히 주목받는 것이 페로브스카이트-실리콘 탠덤(Tandem) 구조다. 이는 기존 실리콘 태양전지의 기판 역할을 하는
실리콘 웨이퍼 위에 페로브스카이트 층을 추가로 형성하는 구조다. 상부 셀에 위치한 페로브스카이트는 주로 고에너지
영역의 빛을 흡수하고, 하부 셀의 실리콘 웨이퍼는 페로브스카이트가 흡수하지 못한 저에너지 영역의 빛을 흡수한다.
이처럼 서로 다른 에너지 영역의 빛을 흡수하는 두 층을 쌓음으로써, 단일 접합 태양전지에서는 활용하지 못했던 태양
광 에너지를 추가로 활용할 수 있게 되는 것이다. 탠덤 구조는 실험실 수준에서 높은 효율을 기록하고 있다. 이러한 기술 변화는 새로운 제조 공정과 장비를 필요로 하며, 장비 업체들에게 새로운 기회가 되고 있다. 주성엔지니어
링의 경우 전통적인 결정형 태양전지 장비부터, 차세대 기술인 HJT(Heterojunction Technology, 이종 접합 기술)와
페로브스카이트 제조장비까지 다양한 포트폴리오를 보유하고 있다. HJT의 경우 양면에 비정질 실리콘을 증착하는 공
정이 필요한데, 이는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)라는 증착 장비를 통해 이루어진다. 한
편, 페로브스카이트는 용액 공정이나 증착 공정을 통해 제작되는데, 특히 고효율 탠덤 구조를 위해서는 정밀한 증착 기
술이 필수적이다. 주성엔지니어링은 반도체 증착장비 제조 경험을 바탕으로 이러한 첨단 공정에 필요한 증착장비를 공
급할 수 있는 역량을 갖추고 있어, 태양광 분야의 기술 변화 흐름에 발맞춰 시장 확대를 기대할 수 있는 상황이다. 반도체의 다양한 응용 분야에 적용 가능한 제품 포트폴리오 보유
주성엔지니어링의 주목할 만한 첫 번째 투자포인트는 반도체 장비 매출 의존도가 높음에도 불구하고 업황 불황과 전방
산업의 불안정한 설비투자 상황에서도 안정적인 매출 방어가 가능하다는 점이다. 이는 다양한 응용 분야에서의 경쟁력
을 잘 보여주는 지표라고 할 수 있다.
현재 반도체 업계의 설비투자 동향을 살펴보면 기업별로 상이한 모습을 보이고 있다. 삼성전자와 인텔이 2023년 이후
설비투자를 줄이는 추세를 보이는 반면, SK하이닉스와 TSMC는 투자를 확대하는 기조를 유지하고 있다. 특히 비메모
리 반도체 분야의 설비투자는 TSMC가 독보적으로 주도하고 있는 상황이며, 이러한 투자 양극화 현상은 당분간 지속
될 것으로 전망한다. 불확실한 시장 환경에서도 주성엔지니어링이 안정적인 실적을 유지할 수 있는 것은 다각화된 기술 포트폴리오 덕분이
다. 주성엔지니어링은 전통적인 강점 분야인 메모리 반도체 DRAM 전공정용 ALD 장비에서 독보적인 기술력을 보유
하고 있으며, 최근에는 비메모리 반도체 후공정의 실리콘 인터포저 분야까지 사업 영역을 확장하고 있다.
또한 DRAM이 2D 평면형에서 3D 적층형으로 발전하는 구조적 변화는 주성엔지니어링의 ALD 장비 수요를 크게 증
가시킬 것으로 예상한다. 여기에 3D NAND Flash에서 고유전 물질 사용이 증가하는 추세 역시 주성엔지니어링에 새
로운 성장 동력을 제공한다. 이처럼 반도체 산업의 기술 진화 방향이 주성엔지니어링의 핵심 역량과 정확히 일치하고
있어, 업황 변동성이 큰 상황에서도 안정적인 실적 창출이 가능할 것으로 전망한다.
중국, 미국, 대만, 일본, 러시아 등 주요 반도체 생산국의 핵심 기업들과 신뢰 관계를 구축
주성엔지니어링은 2010년을 전후로 태양광 장비를 주력으로 공급했으나, 태양광 산업의 극심한 공급과잉으로 인해 관
련 장비 매출이 급격히 감소하는 어려움을 겪었다. 이러한 쓰라린 경험은 주성엔지니어링이 사업 포트폴리오와 고객사
다변화의 중요성을 절실히 깨닫는 계기가 되었으며, 이후 반도체와 디스플레이 분야로의 본격적인 사업 확장을 추진하
게 된 결정적 전환점이 되었다. 특히 단일 산업이나 소수 고객사에 대한 높은 의존도가 기업의 지속가능성을 위협할 수
있다는 교훈을 얻게 되었고, 이후 주성엔지니어링의 장기 성장 전략 수립에 중요한 이정표가 되었다.
국내 시장에서는 SK하이닉스와 LG디스플레이를 주요 고객사로 확보하며 안정적인 성장 기반을 다졌다. 이들 기업과
의 협력 관계는 단순한 거래 관계를 넘어 차세대 제품 개발과 기술 혁신을 위한 전략적 파트너십으로 발전했다. 그러나
주성엔지니어링은 여기에 안주하지 않고 글로벌 시장 진출을 위해 끊임없는 노력을 기울였다. 특히 고객사와의 비밀
유지 계약으로 인해 구체적인 기업명을 공개할 수는 없지만, 중국, 미국, 대만, 일본, 러시아 등 주요 반도체 생산국의
핵심 기업들과 신뢰 관계를 구축하며 글로벌 고객 포트폴리오를 꾸준히 확대해 왔다. 이 과정에서 주성엔지니어링은
각국의 상이한 기술 요구사항과 비즈니스 관행에 대응하며 글로벌 경쟁력을 한층 강화할 수 있었다.
해외 고객사 확보는 단순한 매출 증대 이상의 의미를 갖는다. 해외 고객사향 장비는 일반적으로 국내 고객사향 대비 높
은 이익률을 기록하고 있으며, 장기 계약을 통한 안정적인 수주 실적을 보장한다. 이는 매출 규모의 확대와 수익성 개
선이라는 선순환 구조로 이어지고 있다. 또한 글로벌 시장에서의 레퍼런스 확보는 추가적인 고객사 확보로 이어지는
등 장기적 성장 동력 확보에도 크게 기여하고 있다. 특히 해외 고객사들의 까다로운 기술 요구사항을 충족시키는 과정
에서 축적된 노하우는 주성엔지니어링의 기술력 향상에도 큰 도움이 되고 있다. 이러한 성과를 바탕으로 주성엔지니어
링은 글로벌 반도체 장비 시장에서 점차 입지를 넓혀가고 있으며, 주성엔지니어링의 브랜드 가치 상승으로도 이어지고
있다.
고객사 다변화 전략은 사업 포트폴리오 관점에서도 중요한 의미를 갖는다. 과거 태양광 산업 침체기의 경험을 교훈 삼
아, 주성엔지니어링은 디스플레이와 태양전지 부문의 실적 변동성을 반도체 제품 포트폴리오로 방어하는 전략을 구사
하고 있다. 특히 반도체 산업의 특성상 고객사와 장비 공급사 간의 긴밀한 협력이 필수적인데, 주성엔지니어링은 오랜
기간 지난한 노력을 통해 글로벌 고객사들과의 신뢰 관계를 구축하는데 성공했다. 이는 단기적인 매출 증대뿐만 아니
라, 차세대 제품 개발과 기술 혁신을 위한 협력 관계 구축이라는 측면에서도 큰 의미가 있다 글로벌 고객사들과의 협력은 최신 기술 트렌드와 시장 동향을 파악할 수 있는 중요한 채널이 되고 있으며, 이를
통해 선제적인 기술 개발과 제품 혁신이 가능해지고 있다. 결과적으로 주성엔지니어링은 글로벌 고객사 다변화를 통해
안정적인 성장 기반을 구축함과 동시에, 세계적인 반도체 장비 기업으로서의 입지를 더욱 공고히 하고 있다. 이러한 성
과는 향후 주성엔지니어링이 글로벌 시장에서 더 큰 도약을 이루는데 중요한 밑거름이 될 것으로 기대한다. 메모리→비메모리, 전공정→후공정으로 사업영역 확대
주성엔지니어링은 메모리 반도체 DRAM 전공정용 ALD 장비 분야에서 오랜 기간 기술력을 축적해왔다. 특히 SK하이
닉스를 주요 고객사로 확보하며 독보적인 기술력을 입증했으며, 이는 단순한 거래 관계를 넘어 차세대 제품 개발과 기
술 혁신을 위한 전략적 파트너십으로 발전했다. 이러한 검증된 기술력은 글로벌 시장 진출의 핵심 동력이 되었으며, 해
외 주요 반도체 기업들과의 협력 관계 구축에도 큰 도움이 되었다.
뛰어난 기술력을 바탕으로 주성엔지니어링은 혁신적인 돌파구를 마련했다. 주성엔지니어링은 최근 용인 R&D센터 기
자간담회에서 획기적인 기술 혁신을 발표했다. 기존에 1,000℃ 이상의 고온에서만 가능했던 3-5족 화합물 반도체 공
정을 400℃ 이하의 저온에서 구현하는 데 성공했으며, 이를 통해 글라스 기판 위에서도 10배 이상 높은 수율로 제조
할 수 있게 되었다. 특히 이 기술은 메모리와 비메모리 구분 없이 다양한 기판에서 반도체를 제조할 수 있어, 차세대
반도체, 디스플레이, 고효율 태양전지 등에서 폭넓은 응용이 가능하다.
최근 주성엔지니어링은 비메모리 반도체 후공정의 실리콘 인터포저 분야로도 사업영역을 확장하고 있는 것으로 추정
된다. 실리콘 인터포저는 여러 반도체 칩들 사이에서 일종의 '중간 다리' 역할을 하는 기판으로, 칩들을 전기적으로 연
결하고 신호를 주고받을 수 있게 해주는 중요한 요소다. 특히 고성능 컴퓨팅이나 인공지능 반도체와 같이 많은 열이 발
생하고 빠른 신호 전달이 필요한 제품에서는 이러한 실리콘 인터포저의 성능이 매우 중요하다.
제품 포트폴리오 다각화는 주성엔지니어링의 안정적인 성장동력이 되고 있다. 특정 산업이나 제품에 대한 의존도를 낮
추고 다양한 응용분야에 대응함으로써 시장 변화에 탄력적으로 대응할 수 있게 되었다. 또한 각 분야에서 축적된 기술
과 노하우는 서로 시너지를 발휘하며, 새로운 시장 진출이나 제품 개발에도 큰 강점으로 작용하고 있다. 차세대 기술 트렌드와 일치하는 핵심 기술 보유
3D DRAM과 3D NAND Flash 모두 수직 적층 구조이며 ALD 기술의 중요성이 더욱 커지고 있다. 특히 고종횡비 구조
에서도 균일한 증착이 가능한 ALD 기술은 필수불가결한 요소가 되었다. 주성엔지니어링은 수직 적층 구조에서 요구되
는 정밀한 증착 기술을 이미 확보하고 있어, 차세대 메모리 반도체 시장에서 핵심적인 역할을 수행할 수 있는 위치에
있다. 특히 수직 구조가 수백 층 이상으로 발전하면서 균일한 증착의 난이도가 급격히 상승하고 있는데, 주성엔지니어
링의 ALD 기술이 더욱 빛을 발할 수 있는 기회가 되고 있다.
고유전율 물질 증착 기술은 차세대 반도체 제조에서 가장 중요한 기술 중 하나다. 반도체가 미세화되면서 기존의 실리
콘 산화물로는 더 이상 요구되는 성능을 달성하기 어려워졌다. 이에 따라 하프늄이나 지르코늄 등 고유전율 물질의 도
입이 필요해졌다. 주성엔지니어링은 고유전율 물질의 정밀한 증착 기술을 보유하고 있어, 반도체 산업의 미세화 트렌
드에 완벽하게 대응할 수 있다. 특히 3D NAND Flash에서는 터널 산화막, 전하 저장층, 블로킹 산화막 등 다양한 층에
고유전율 물질의 적용이 확대되고 있어, 향후 수요가 더욱 증가할 것으로 전망한다.
글로벌 반도체 산업의 미세화, 고도화라는 진화 방향은 주성엔지니어링의 핵심 역량과 정확히 일치한다. 반도체가 더
욱 미세화되고 복잡해질수록 기존 공정으로는 해결할 수 없는 기술적 난제들이 증가하고 있으며, 이는 곧 새로운 제조
공정과 장비에 대한 수요로 이어진다. 주성엔지니어링은 이러한 산업의 니즈를 정확히 파악하고, 필요한 기술을 선제
적으로 개발하여 시장의 요구에 대응하고 있다.
주성엔지니어링의 기술력과 시장 대응 능력은 단순히 현재의 매출 성장에만 기여하는 것이 아니다. 차세대 반도체 기
술에 대한 선제적 대응과 투자는 장기적인 관점에서 주성엔지니어링의 경쟁력을 강화하고, 시장에서의 입지를 더욱 공
고히 하는 토대가 될 것이다. 특히 반도체 공정이 점점 더 복잡해지고 고난도화되면서, 검증된 기술력을 보유한 장비
업체의 경쟁력은 더욱 강화될 것으로 전망한다. 이는 진입장벽이 높아지는 효과도 있어, 주성엔지니어링의 시장 지위
를 더욱 공고히 하는 요인이 될 것이다.
반도체 산업이 중장기적으로 AI, 자율주행, IoT 등 첨단 산업의 발전과 함께 지속적인 성장이 예상되는 상황에서, 주성
엔지니어링의 기술력과 시장 대응력은 더욱 큰 가치를 발휘할 것으로 기대한다. 특히 차세대 메모리의 고성능화, 저전
력화 요구가 강화되면서 정밀한 증착 기술의 중요성은 더욱 커질 것이다. 주성엔지니어링은 이러한 시장 변화에 선제
적으로 대응하며, 글로벌 반도체 장비 시장에서 핵심 플레이어로서의 위상을 더욱 강화해 나갈 것으로 전망한다2023년 실적 리뷰
주성엔지니어링의 2023년 실적은 전반적인 감소세를 보였다. 2022년 하반기부터 시작된 반도체 수요 둔화, 전방업체
들의 설비 투자 지연, 그리고 지정학적 리스크로 인한 태양광 장비 수출 지연이 주된 원인이었다. 글로벌 경기 회복 지
연과 주요 산업 전반의 수요 감소로 연결기준 매출액은 전년 대비 35.0% 감소한 2,847억 원을 기록했다.
특히 2023년 1분기와 2분기는 각각 687억 원, 317억 원의 매출을 기록하며 2022년부터 2023년까지 8개 분기 중
가장 부진한 실적을 보였다. 수익성도 크게 악화되어 연간 영업이익은 전년 대비 76.7% 감소한 289억 원을 기록했으
며, 연간 영업이익률은 10.2%에 그쳤다. 실적 부진에도 불구하고 미래 성장동력 확보를 위한 R&D 투자를 지속한 것
이 수익성 하락의 주요 요인이었으나, 이는 중장기적 관점에서 필수적인 선택이었다. 그럼에도 불구하고 당기순이익은
340억 원(당기순이익률 11.9%)을 달성하며 수익성 기반을 유지했다. 주성엔지니어링은 반도체와 디스플레이 산업의
구조적 전환기를 맞아 차세대 기술 개발을 확대하고, 글로벌 공급망 다변화를 통해 중장기 성장 기반 강화에 주력했다. 2024년 실적 전망
주성엔지니어링의 2024년 실적은 전년 대비 큰 폭의 성장을 예상한다. 연결기준 매출액은 전년 대비 44.0% 증가한
4,101억 원, 영업이익은 전년 대비 331.4% 증가한 1,248억 원을 기록할 것으로 전망한다. 다만 주성엔지니어링은 수
주 기반으로 실적이 발생하는 장비 기업인 만큼, 분기별 실적에서는 변동성이 존재한다.
2024년 1분기에는 해외 고객사의 장비 설치 지연으로 인해 반도체 장비 매출 일부가 4월로 이월되면서 매출액이
600억 원을 하회했다. 2분기에는 1분기에 중국 고객사 팹(Fabrication Facilities, 제조라인)에서 지연되었던 200억 원
규모의 매출이 반영되며 실적이 개선되었다. 특히 3분기에는 실적 호조가 두드러졌는데, 이는 중화권 반도체 고객사향
장비 납품 비중 증가와 국내 반도체 고객사의 해외 생산라인 장비 납품이 조기에 시작된 데 따른 것이다. 여기에 8.5세
대 대면적 디스플레이용 제조 장비의 순조로운 출하, 차량용 디스플레이 제조 공정용 봉지층 증착 장비 납품, 팹리스
기업에 공급한 Deep Trench Capacitor(실리콘 기판에 깊게 파낸 수직 구조의 트렌치)용 ALD 장비 출하 등이 실적
개선에 기여했다.
주성엔지니어링의 2024년 1~3분기 누적 매출액은 3,011억 원, 영업이익은 953억 원을 기록했으며, 이는 전년 동기
(매출액 1,864억 원, 영업이익 90억 원) 대비 매출액은 61.5%, 영업이익은 954.0% 증가한 수치이다.
실적 개선으로 2024년 영업이익률은 전년도 10.2%에서 30.4%로 크게 개선할 것으로 예상한다. 다만, 1~3분기까지
영업이익(953억 원)의 전년 동기 대비 증가율은 무려 954.0%인데, 1~4분기(연간) 영업이익 추정치(1,248억 원)의 전
년 대비 증가율이 331.4%에 그치는 이유는 2023년 영업이익이 2024년 대비 부진했지만 2023년 1~4분기(연간) 중
에서 4분기 실적이 상대적으로 양호했기 때문이다. 2023년 1~4분기 매출과 영업이익은 전술했던 바와 같이 각각
2,847억 원, 289억 원을 기록했는데 연간 영업이익 289억 원 중에 50% 이상인 199억 원이 2023년 4분기에 발생
했다. 2025년 실적 전망
트럼프 대통령 당선자의 대중 압박
기조를 감안해 컨센서스 대비
보수적으로 추정
2025년 실적 전망에 관해서는 신중하게 접근할 필요가 있다. 미국 신행정부의 중국 반도체 산업에 대한 수출 통제 강
화 정책을 감안할 때, 매출액과 영업이익은 전년 대비 소폭 증가한 4,232억 원, 1,291억 원 수준으로 추정한다. 이는
현재 시장 컨센서스인 매출액 5,000억 원, 영업이익 1,500억 원을 하회하는 수준이다. 그러나 매출의 질적 성장 측면
에서는 주목할 만한 변화를 예상한다. 전사적으로 메모리에서 비메모리 반도체 고객사로, 국내에서 해외 고객사로, 그
리고 전공정에서 후공정 고객사로의 매출 확대 가시성이 높아지고 있기 때문이다. 이는 화장품(인디 브랜드), 식품(불닭
볶음면) 등 여타 산업에서의 해외 매출 성과가 해당 기업들의 시가총액에 크게 기여하는 것과 같은 맥락으로, 주성엔지
니어링의 해외 고객사 다변화 및 제품 포트폴리오 다각화 전략은 긍정적이다. 비록 2025년 실적 추정치가 절대값 기
준으로는 2024년과 큰 차이를 보이지 않을 수 있으나, 매출 구조의 질적 개선을 예상하며, 의미 있는 변화를 관측할
수 있는 해가 될 것으로 전망한다2025년 실적 기준 P/E 밸류에이션은 9.2배
주성엔지니어링의 2025년 실적 기준 P/E 밸류에이션은 9.2배이다. 동종 업종의 한국 증착 장비 공급사(원익IPS) 대비
저평가되어 있고, 글로벌 시장의 증착 장비 공급사(Applied Materials, ASM International) 대비 저평가 되어 있다. 이
러한 저평가의 주된 원인은 증착 장비 공급사로서 동종 업종 내에서 아직까지 매출 측면의 규모의 경제를 달성하지 못
했기 때문으로 분석한다. 이러한 배경에서 주성엔지니어링은 한국 고객사(SK하이닉스, LG디스플레이) 중심의 사업 구
조에서 벗어나 해외 고객사로의 다변화를 추진하고 있으며, 동시에 반도체 제품 포트폴리오도 차세대 장비 위주로 확
장하는 전략을 구사하고 있다. 성장 동력 확보와 고객사 다변화로 저평가를 벗어날 수 있는 주성엔지니어링
글로벌 반도체 장비 시장의 대표 주자인 Applied Materials는 1967년 설립 이후 지속적인 기술 혁신과 시장 지배력
강화를 통해 현재 연간 매출 규모 40조 원 내외로 압도적인 위상을 구축했다. 특히 반도체 제조 공정의 핵심인 증착
분야에서 ALD, CVD, PVD 등 폭넓은 기술 포트폴리오를 확보하며 시장을 선도하고 있으며, 이를 기반으로 전 세계 주
요 반도체 제조사들과 긴밀한 협력 관계를 유지하고 있다. 이에 비해 주성엔지니어링은 약 4,000억 원대의 매출 규모
를 기록하고 있어 규모면에서 큰 차이를 보이고 있다. 한편, ALD 기술 분야의 강자인 ASM International은 약 4~5조
원의 매출을 기록하며 글로벌 시장에서 확고한 입지를 다지고 있다. ASM International은 특히 첨단 공정에 필수적인
ALD 기술에서 독보적인 기술력을 바탕으로 TSMC, Intel, 삼성전자 등 글로벌 메이저 반도체 제조사들을 주요 고객으
로 확보하며, 미세 공정 전환 가속화에 따른 수혜를 누리고 있다. 국내 반도체 장비 시장에서는 원익IPS가 증착 장비 분야에서 주성엔지니어링의 경쟁사이다. 원익IPS는 아토(PECVD),
IPS(ALD, Metal CVD, Etching), 테라세미콘(열처리 장비) 등 여러 반도체 장비 기업들의 전략적 인수합병을 성공적으
로 완료하며 사업 포트폴리오를 확장했다. 이를 통해 연간 7,000~9,000억 원대의 매출을 달성하며 국내 시장에서 강
력한 입지를 구축했다. 특히 삼성전자와의 긴밀한 협력 관계를 바탕으로 안정적인 수주를 이어가고 있다. 반면 주성엔
지니어링은 ALD 부문에서 글로벌 수준의 기술력을 보유하고 있음에도 불구하고, 매출 규모는 아직까지 원익IPS의 절
반 수준에 머물러 있다. 다만 주목할 만한 점은, 시가총액 기준으로는 주성엔지니어링이 원익IPS를 상회하고 있다는 것
이다. 해외 고객사 확대 속도가 원익IPS 대비 상대적으로 빠르기 때문이다.
P/E 밸류에이션 측면에서는 원익IPS가 더 높은 수준을 유지하고 있는데, 이는 삼성전자라는 글로벌 톱 티어 고객사를
확보하고 있다는 점이 장비 공급사의 밸류에이션에도 긍정적인 영향을 미치고 있음을 시사한다. 하지만 주성엔지니어
링의 저평가 상황은 점차 해소될 것으로 전망한다. 그 근거로는 두 가지를 들 수 있다. 첫째, 주요 고객사인 SK하이닉
스가 차세대 성장 동력인 인공지능용 메모리 반도체 HBM 분야에서 높은 시장 점유율을 확보하고 있다는 점이다. 둘
째, 주성엔지니어링이 SK하이닉스와의 전략적 파트너십을 강화하면서도 동시에 신규 응용처 개발과 고객사 다변화를
통해 매출 기반을 확대하고 있다는 점이다.
이러한 산업 동향과 기업들의 전략적 포지셔닝을 고려할 때, 국내 반도체 장비 시장은 더욱 치열한 경쟁과 함께 기술
혁신을 통한 성장이 지속될 것으로 예상한다. 특히 글로벌 반도체 시장의 확대와 함께, 두 기업 모두 각자의 강점을 바
탕으로 더 큰 성장 기회를 모색할 수 있을 것으로 기대한다. 앞으로 두 기업의 경쟁 구도 변화와 성장 전략이 시장에
어떤 영향을 미칠지 주목할 필요가 있다. 반도체 장비 매출 의존도가 높아 업황 악화 시 실적이 크게 하락하나, 포트폴리오 다각화로 대응
주성엔지니어링의 주요 리스크 중 첫 번째는 반도체 산업에 대한 높은 의존도다. 매출의 상당 부분이 반도체 장비에서
발생하여 반도체 경기 변동에 민감한 구조로, 특히 메모리 반도체 설비투자 감소 시기에는 실적 하락이 불가피하다. 주
요 고객사들의 투자 축소나 연기는 직접적인 매출 감소로 이어지며, 이는 수익성 악화로 연결된다.
다만 이러한 반도체 중심 포트폴리오는 디스플레이 장비와 태양광 장비 시장의 높은 변동성과 상대적으로 낮은 진입장
벽을 감안할 때, 장비 공급사로서 전략적으로 적절한 선택이다. 2023년 반도체 업황 부진 시기에 연간 매출이 3,000
억 원 미만으로 급감했던 사례는 이러한 리스크를 잘 보여주는데, 특히 메모리 반도체 업황 부진이 길어지면서 고객사
들의 투자 축소가 지속된 것이 주요 원인이었다.
이러한 리스크를 완화하기 위해서는 제품 포트폴리오 다변화, 고객사 다변화, 기술 진입 장벽 구축 등의 전략이 필요하
다. 현재 주성엔지니어링은 중화권 고객 확대, 차세대 반도체 공정 장비 개발, 신규 응용처 발굴 등을 통해 이러한 방향
으로 전략을 수립하고 실행하고 있어 긍정적으로 평가한다. 특히 기존 메모리 반도체 중심에서 비메모리 반도체 영역
으로의 확장, 국내 고객사 중심에서 글로벌 고객사로의 확대는 실적 변동성을 완화할 수 있는 중요한 전략적 방향이다.
글로벌 대형 장비업체들의 막대한 R&D 투자로 첨예한 경쟁 지속
두 번째로 기술 경쟁력 관련 리스크가 존재한다. 반도체 공정이 점차 고도화되고 미세화됨에 따라 지속적인 R&D 투자
가 필수적이며, 특히 차세대 로직/메모리 반도체 공정에 대응하기 위한 기술력 확보가 중요하다. 반도체 공정이 고도화
될수록 장비의 기술적 난이도는 높아지고, 이는 곧 더 많은 연구개발 투자를 필요로 한다. 글로벌 장비업체들과의 기술
격차가 벌어질 경우 시장 점유율 하락으로 이어질 수 있어, 선제적인 기술 투자와 연구 개발이 매우 중요하다.
특히 Applied Materials 등 글로벌 대형 장비업체들의 막대한 R&D 투자와 비교할 때 상대적인 열위가 우려되는 상황
이다. 이들 기업은 연간 수조 원 규모의 R&D 투자를 진행하고 있어, 기술 격차가 더욱 벌어질 수 있다는 우려가 존재
한다. 주성엔지니어링은 이러한 리스크에 대응하기 위해 매출액 대비 높은 수준의 R&D 투자를 지속하고 있으며, 신규
공정에 적용 가능한 ALD 장비와 같은 차세대 반도체 공정 장비 개발에 주력하고 있다. 실리콘 캐패시터 ALD 장비, 고
성능 로직 소자용 ALD 장비 등 차세대 공정 대응을 위한 신규 장비 개발에도 성과를 보이고 있다. 또한 주요 고객사와
의 공동 개발을 통해 기술력을 입증하고, 신규 제품의 레퍼런스를 확보하는 전략을 구사하고 있다. 이러한 전략은 단기
적으로는 수익성 저하 요인이 될 수 있으나, 중장기적 관점에서 기술 경쟁력 강화를 위한 필수적인 투자이다미중 무역갈등 심화와 같은 글로벌 반도체 산업 규제 강화
마지막으로 정책 및 규제 리스크가 존재한다. 무역갈등 심화와 같은 글로벌 반도체 산업 관련 규제 강화는 주성엔지니
어링의 사업 환경에 직접적인 영향을 미칠 수 있으며, 특히 중화권 고객사향 매출 비중이 증가하고 있는 상황에서 이는
중요한 리스크 요인이다.
최근 미국은 장비 수출 통제를 강화하고 있으며, 향후 더욱 확대될 가능성이 있다. 수출 통제 정책 변화에 따른 영업
환경의 불확실성이 증가하고 있어, 이에 대한 면밀한 모니터링과 대응 전략 수립이 필요하다. 미국의 제재가 강화될 경
우 중국 반도체 기업들의 투자 계획 조정이 불가피하며, 주성엔지니어링의 수주 및 매출에 부정적 영향을 미칠 수 있
다. 이러한 리스크에 대응하기 위해 주성엔지니어링은 글로벌 고객사 다변화와 지역별 맞춤형 사업 전략을 구사하고
있으며, 특히 미국, 일본 등 다양한 지역에서의 고객사 개척을 통해 지역 포트폴리오 다각화를 추진하고 있다.